Enhanced silicon nitride thin layers

C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C

Patent

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Details

C23C 16/34 (2006.01) C03C 17/22 (2006.01) C23C 16/42 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01)

Patent

CA 2054805

Une méthode de préparation de couches de nitrure de silicium à propriétés améliorées est proposée. La couche se caractérise par une concentration en atomes d'hydrogène limitée, de plus son indice est élevé, sa vitesse d'attaque par une solution fluorhydrique reste lente, elle empêche la diffusion des alcalins et de l'oxygène. Ses propriétés diélectriques (gap optique) sont bonnes. Le procédé de préparation utilise le plasma-CVD avec de l'ammoniac. L'invention concerne de plus l'application aux écrans plats, aux transistors TFT et aux vitrages fonctionnels.

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