H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/872 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01)
Patent
CA 2425787
Edge termination for a silicon carbide Schottky rectifier is provided by including a silicon carbide epitaxial region (16) on a voltage blocking layer (14) of the Schottky rectifier and adjacent a Schottky contact (18) of the silicon carbide Schottky rectifier. The silicon carbide epitaxial layer (16) may have a thickness and a doping level so as to provide a charge in the silicon carbide epitaxial region based on the surface doping of the blocking layer (14). The silicon carbide epitaxial region (16) may form a non-ohmic contact with the Schottky contact (18). The silicon carbide epitaxial region (16) may have a width of from about 1.5 to about 5 times the thickness of the blocking layer (14). Schottky rectifiers with such edge termination and methods of fabricating such edge termination and such rectifiers are also provided.
La présente invention concerne une terminaison de bord de redresseur Schottky au carbure de silicium, que l'on forme en incluant une zone épitaxiale au carbure de silicium sur une couche de blocage de tension du redresseur Schottky et à proximité d'un contact Schottky du redresseur Schottky au carbure de silicium. La couche épitaxiale au carbure de silicium peut présenter une épaisseur et un niveau de dopage tels qu'elle fournit une charge dans la zone épitaxiale au carbure de silicium qui est fonction du dopage superficiel de la couche de blocage. La zone épitaxiale au carbure de silicium peut former un contact non ohmique avec le contact Schottky. La zone épitaxiale au carbure de silicium peut posséder une largeur comprise entre environ 1,5 et environ 5 fois l'épaisseur de la couche de blocage. L'invention se rapporte également à des redresseurs Schottky dotés de la terminaison de bord précitée et à des procédés de fabrication de la terminaison de bord et des redresseurs précités. Les procédés de l'invention peuvent également améliorer de manière avantageuse les performances des dispositifs obtenus et simplifier leur processus de fabrication.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1871701