Epitaxial thallium high temperature superconducting films...

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H - Electricity

01

L

H01L 39/00 (2006.01) H01B 12/06 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)

Patent

CA 2194400

A device and method for providing a device suitable for microwave and/or RF applications comprising an HTS film (4) having low surface resistance and exhibiting linear response characteristics at high RF current density is provided. Broadly, a two-step process of first, in situ forming an intermediate layer of YBCO (2) (or a structural analog) used as a nucleation layer on a support layer (1), and second forming a thallium and copper oxide based film (4) on the intermediate layer (2) by precursor (3) deposition followed by a post-deposition thermal processing for crystallization.

Dispositif et procédé destinés à produire un dispositif convenant aux applications haute fréquence et/ou hyperfréquence, comprenant un film supraconducteur à haute température (HTS) (4), présentant une faible résistance de surface ainsi que des caractéristiques de réponse linéaire à une densité de courant haute fréquence élevée. De manière générale, le procédé comprend deux étapes consistant, premièrement, à former sur place une couche intermédiaire de YBCO (2) (ou une couche de structure analogue) qui est utilisée comme couche de nucléation sur une couche support (1), et, deuxièmement, à former, sur la couche intermédiaire (2), un film à base de thallium et d'oxyde de cuivre (4) par dépôt d'un précurseur (3) suivi d'un traitement thermique pour réaliser la cristallisation.

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