H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 49/02 (2006.01) B01D 71/02 (2006.01) C30B 29/32 (2006.01) H01G 4/06 (2006.01) H01G 4/33 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01)
Patent
CA 2359710
Epitaxial thin films for use as buffer layers for high temperature superconductors, electrolytes in solid oxide fuel cells (SOFC), gas separation membranes or dielectric material in electronic devices, are disclosed. By using CCVD, CACVD or any other suitable deposition process, epitaxial films having pore-free, ideal grain boundaries, and dense structure can be formed. Several different types of materials are disclosed for use as buffer layers in high temperature superconductors. In addition, the use of epitaxial thin films for electrolytes and electrode formation in SOFCs results in densification for pore-free and ideal grain boundary/interface microstructure. Gas separation membranes for the production of oxygen and hydrogen are also disclosed. These semipermeable membranes are formed by high-quality, dense, gas-tight, pinhole free sub-micro scale layers of mixed-conducting oxides on porous ceramic substrates. Epitaxial thin films as dielectric material in capacitors are also taught herein. Capacitors are utilized according to their capacitance values which are dependent on their physical structure and dielectric permittivity. The epitaxial thin films of the current invention form low-loss dielectric layers with extremely high permittivity. This high permittivity allows for the formation of capacitors that can have their capacitance adjusted by applying a DC bias between their electrodes.
L'invention concerne des couches minces épitaxiales qui s'utilisent comme couches tampons destinées à des supraconducteurs à haute température, à des électrolytes pour piles à combustible oxyde solide (SOFC), à des membranes de séparation gazeuse ou à des matériels diélectriques équipant des dispositifs électroniques. La mise en oeuvre d'une méthode CCVD, CACVD ou de n'importe quelle autre méthode de dépôt appropriée permet de former des couches épitaxiales sans porosité présentant des joints de grain parfaits et une structure dense. Plusieurs types de matériau différents peuvent être utilisés pour former les couches tampons dans des supraconducteurs à haute température. En outre, l'utilisation de couches minces épitaxiales pour former des électrolytes et des électrodes dans des SOFC produit une microstructure densifiée sans porosité, présentant une interface et un joint de grain parfaits. L'invention concerne également des membranes de séparation gazeuse destinées à produire de l'oxygène et de l'hydrogène. Ces membranes semi perméables sont constituées de couches submicroniques d'oxydes mixtes conducteurs de haute qualité, denses, étanches au gaz et exemptes de trous d'épingle, disposées sur des substrats céramiques. L'invention concerne en outre des couches minces épitaxiales utilisées comme matériel diélectrique dans des condensateurs. Ces condensateurs sont utilisés selon leurs valeurs capacitives, lesquelles dépendent de la structure physique et de la permitivité diélectrique des condensateurs. Les couches minces épitaxiales de l'invention forment des couches diélectriques à faible perte ayant une permitivité extrêmement élevée. Cette permitivité élevée permet de former des condensateurs dont la capacité peut être réglée par application d'une polarisation en continu entre leurs électrodes.
Cousins Donald H.
Deshpande Girish
Hunt Andrew T.
Hwang Tzyy-Jiuan Jan
Lin Wen-Yi
Finlayson & Singlehurst
Microcoating Technologies Inc.
Ngimat Co.
LandOfFree
Epitaxial thin films does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Epitaxial thin films, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Epitaxial thin films will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2003509