C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/42 (2006.01) B32B 9/00 (2006.01) C23C 16/509 (2006.01)
Patent
CA 2668153
This invention provides an ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE) copolymer molded product having a high level of surface hydrophilicity and excellent light transmittance, and a production process which can produce the molded product. The production process is a process for producing an ETFE copolymer molded product comprising a base material (12) formed of a material containing not less than 50% by mass of an ETFE copolymer, and a fluorine-doped silicon oxide film (14) formed on the surface of the base material (12). Electric power is supplied across electrodes so that the power density across the electrodes is 0.5 to 1.1 W/cm3 to cause discharge and thus to plasmatize a mixed gas containing silicon tetrafluoride, oxygen and hydrogen carbide with the atomic ratio between oxygen and carbon (O/C) being 1 to 10 and the atomic ratio between oxygen and silicon (O/Si) being 1.7 to 25, whereby a silicon oxide film (14) is formed on the base material (12).
La présente invention concerne un produit moulé en copolymère d'éthylène et de tétrafluoroéthylène (ETFE) ayant un degré élevé d'hydrophilicité en surface et une excellente transmission de la lumière et un procédé de production pouvant produire le produit moulé. Le procédé de production est un procédé pour produire un produit moulé en copolymère ETFE comprenant un matériau de base (12) constitué d'un matériau ne contenant pas moins de 50 % en masse d'un copolymère ETFE, et un film d'oxyde de silicium dopé de fluor (14) formé à la surface du matériau de base (12). L'énergie électrique est fournie à travers des électrodes de sorte que la densité de puissance à travers les électrodes soit dans la gamme de 0,5 à 1,1 W/cm3 de façon à entraîner une décharge et à créer de ce fait un plasma d'un mélange gazeux contenant du tétrafluorure de silicium, de l'oxygène et du carbure d'hydrogène, le rapport atomique entre l'oxygène et le carbone (O/C) étant dans la gamme de 1 à 10 et le rapport atomique entre l'oxygène et le silicium (O/Si) étant dans la gamme de 1,7 à 25, moyennant quoi un film d'oxyde de silicium (14) est formé sur le matériau de base (12).
Higashi Seiji
Tamitsuji Chikaya
Asahi Glass Company Limited
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1762816