H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/205 (2006.01) H01L 33/32 (2010.01) H01L 21/322 (2006.01)
Patent
CA 2402662
A method for protecting the surface of a semiconductor material (30, 50) from damage and dopant passivation is described. A barrier layer (32, 52) of dense or reactive material is deposited on the semiconductor material shortly after growth in a growth reactor (10) such as a MOCVD reactor, using the MOCVD source gasses. The barrier layer (32, 52) blocks the diffusion of hydrogen into the material. The reactor (10) can then be cooled in a reactive or non- reactive gas ambience. The semiconductor material can then be removed from the reactor (10) with little or no passivation of the dopant species. The barrier layer (32, 52) can be removed using a variety of etching processes, including wet chemical etching or can be left at the semiconductor material for surface protection. The barrier layer (32, 52) can also be a gettering layer that chemically binds hydrogen trapped in the semiconductor material and/or blocks hydrogen diffusion into the material.
L'invention concerne un procédé de protection de la surface d'un matériau semi-conducteur (30, 50) contre l'endommagement, et la passivation des dopants, ce procédé consistant à déposer une couche barrière (32, 52) d'un matériau dense ou réactif, sur le matériau semi-conducteur, peu de temps après la croissance dans un réacteur de croissance (10) tel qu'un réacteur à dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur (MOCVD), à l'aide de gaz sources destinés à ce dépôt. Cette couche barrière (32, 52) bloque la diffusion d'hydrogène dans le matériau. Le procédé consiste ensuite à refroidir le réacteur (10) dans une ambiance de gaz réactif ou non, puis à enlever du réacteur (10) le matériau semi-conducteur ne présentant que peu ou pas de passivation de l'espèce dopante, et enfin à enlever la couche barrière (32, 52) en utilisant une diversité de processus de gravure chimique, notamment la gravure humide, ou à laisser cette couche barrière aux fins de protection de la surface du matériau semi-conducteur. La couche barrière (32, 52) peut également être une couche de fixation des gaz qui fixe chimiquement l'hydrogène piégé dans le matériau semi-conducteur et/ou bloque la diffusion d'hydrogène dans ce matériau.
Kapolnek David
Thibeault Brian
Cree Inc.
Cree Lighting Company
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1827186