G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/132 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/509 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) H01L 31/0232 (2006.01)
Patent
CA 2218854
The present invention relates to a method of fabricating optical devices and in paricular to a method of fabricating integrated opto-electronic devices, and to an opto-electronic device. A plasma enhanced chemical vapour deposition process (PECVD) is used to deposit an optical device integrated in silica onto an electronic device fabricated in silicon. Relatively low temperatures are utilised and, in order to reduce losses of a waveguide in the optical device in the wavelength range 1.50 to 1.55 µm, the deposition process is carried out in the absence of nitrogen. An optical device is disclosed which comprises an integrated construction incorporating an optical waveguide in silica and a photonic transducer in silicon.
La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs optiques et, en pariculier, un procédé de fabrication de circuits intégrés optoélectroniques. Elle concerne également ces dispositifs optoélectroniques eux-mêmes. Un appareil amélioré à plasma de dépôt par voie de vapeur est utilisé pour déposer un dispositif optique intégré en silice sur un dispositif électronique en silicium. Des températures relativement basses sont utilisées et le processus de formation du dépôt se fait en absence d'azote pour diminuer les pertes au niveau du guide d'onde dans la plage de 1,50 à 1,55 µm. On décrit un dispositif optique qui comprend une structure intégrée avec un guide d'onde optique en silice et un transducteur photonique en silicium.
Bazylenko Michael V.
Chu Pak Lim
Gauja Eric
Gross Mark
Marks & Clerk
Unisearch Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1618470