G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 1/50 (2012.01) G03F 1/22 (2012.01) G03F 1/24 (2012.01) B81C 1/00 (2006.01) H01L 21/308 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01)
Patent
CA 2433076
A lithography method for fabricating structures of etch-resistant metal- semiconductor compound on a substrate with sub-micrometer scale resolutions is describes. Superposed layers of metal and semiconductor capable of reacting with each other to form etch-resistant metal/semiconductor compound are deposited on the substrate. Radiation from a X-ray/EUR source propagates through a patterned X-ray transparent/EUR reflective mask and is projected on the superposed metal and semiconductor layers. The X-ray transparent mask includes X-ray absorbing patterns imparted to the X-ray radiation while the EUV reflective mask includes EUV absorbing patterns also imparted to the EUV radiation. The energy of X-ray/EUV photons is absorbed locally by the metal and semiconductor layers. Absorption of this energy induces a reaction between the two layers responsible for the formation of etch-resistant metal/semiconductor compound with structures corresponding to the patterns imparted to the radiation by the X-ray/EUV mask. The metal layer is subsequently etches using selective plasma or wet etching, leaving the structures of etch-resistant metal/semiconductor compound intact.
L'invention concerne un procédé de lithographie permettant de fabriquer des structures d'un composé métallique-semi-conducteur résistant à l'attaque chimique placées sur un substrat ayant des résolutions à l'échelle sub-micrométrique. On procède, à cet effet, au dépôt de couches superposées de métal et semi-conducteur capables de réagir entre elles afin d'obtenir un composé métallique/semi-conducteur résistant à l'attaque chimique. Un rayonnement provenant d'une source de rayons X/ultraviolets extrêmes se propage à travers un masque réfléchissant à motifs à rayons X transparents/ultraviolets extrêmes et est projeté sur les couches superposées de métal et semi-conducteur. Le masque transparent de rayons X comprend des motifs d'absorption de rayons X imprimés sur les rayons X, alors que le masque réfléchissant d'ultraviolets extrêmes comprend des motifs d'absorption d'ultraviolets extrêmes imprimés sur le rayonnement d'ultraviolets extrêmes. L'énergie des photons de rayons X/ultraviolets extrêmes est absorbé localement par les couches de métal et semi-conducteur. L'absorption de cette énergie provoque une réaction entre les deux couches responsables de la formation du composé métallique/semi-conducteur résistant à l'attaque chimique dont les structures correspondent aux motifs imprimés sur le rayonnement par le masque de rayons X/ultraviolets extrêmes. La couche métallique est gravée par la suite à l'aide d'une technique de gravure par plasma ou humide sélective, laissant ainsi les structures de composé métallique/semi-conducteur résistant à l'attaque chimique intactes.
Beauvais Jacques
Drouin Dominique
Lavallee Eric
Bkp Gp
Quantiscript Inc.
LandOfFree
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