G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 1/08 (2006.01) G03F 1/14 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
Patent
CA 2342195
To fabricate a mask for X-ray and/or ultraviolet lithography, a layer opaque to X-ray and/or ultraviolet radiation is first deposited on a substrate transparent to such radiation or reflective to ultraviolet radiation. Two superposed layers are then deposited on the opaque layer, a layer of silicon and a layer of metal. A focused electron beam is then applied to and displaced on the superposed layers to locally heat the metal and the silicon and cause diffusion of metal and silicon in each other to form a structure of etch- resistant metal silicide. The layers of metal and silicon are etched to leave on the substrate only the structure of etch-resistant metal silicide and the layer opaque to X-ray and/or ultraviolet radiation underneath this structure to form the mask for X-ray and/or ultraviolet lithography. A similar process is used to fabricate molds for nanimprint lithography.
Pour fabriquer un masque destiné à la lithographie aux rayons X et/ou ultraviolets, on dépose d'abord une couche opaque aux rayons X et/ou aux ultraviolets, sur un substrat transparent audit rayonnement ou réfléchissant le rayonnement ultraviolet. On dépose ensuite deux couches superposées sur ladite couche opaque, une couche de silicium et une couche de métal. On applique et on déplace un faisceau électronique concentré sur les couches superposées, pour chauffer localement le métal et le silicium, induire la diffusion du métal et du silicium l'un dans l'autre et former une structure de siliciure métallique résistant à l'attaque. On attaque les couches de métal et le silicium pour ne laisser sur le substrat que la structure de siliciure métallique résistant à l'attaque et la couche opaque aux rayons X et/ou ultraviolets au-dessous de cette structure, et former le masque destiné à la lithographie aux rayons X et/ou ultraviolets. On utilise un procédé similaire pour fabriquer des moules destinés à la nano-lithographie.
Beauvais Jacques
Drouin Dominique
Lavallee Eric
Bkp Gp
Quantiscript Inc.
Socpra-Sciences Et Genie S.e.c.
LandOfFree
Fabrication of sub-micron etch-resistant metal/semiconductor... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Fabrication of sub-micron etch-resistant metal/semiconductor..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Fabrication of sub-micron etch-resistant metal/semiconductor... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1961804