Fabrication process for dishing-free cu damascene structures

Details Fabrication process for dishing-free cu damascene structures Fabrication process for dishing-free cu damascene structures

H - Electricity

01

L

H01L 21/288 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01)

Patent

CA 2373710

Fabrication of copper damascene interconnects includes depositing an oxide layer (304) atop an underlying conductive layer (102) such as a substrate or a metal layer, which is then patterned and etched. A barrier layer (308) having an optional copper seed layer is then deposited atop the patterned oxide layer (304). The barrier layer (308) is patterned and etched to remove some of the barrier material. Copper (318) is plated atop the barrier layer (308). CMP polishing is performed to bring the copper layer (318) to the level of the barrier layer (308). Polishing is continued to further polish down the barrier layer (308) and any remaining copper (318) to the level of the oxide layer (304). The result is a dishing-free copper damascene structure.

Pour fabriquer des liaisons damasquinées en cuivre, le procédé de l'invention fait intervenir le dépôt d'une couche d'oxyde (304) au-dessus d'une couche sous-jacente électro-conductrice (102) telle qu'un substrat ou une couche de métal, qui est alors tracée puis gravée. On dépose ensuite au-dessus de la couche d'oxyde tracée (304) une couche barrière (308) comportant éventuellement une couche germe de cuivre. La couche barrière (308) est ensuite soumise à traçage et gravure de façon à enlever une partie de la matière barrière. Un plaquage de cuivre (308) est ensuite réalisé au-dessus de le couche barrière (308). Un polissage chimio-mécanique permet de réduire la couche de cuivre (318) jusqu'à niveau de la couche barrière (308). On poursuit le polissage pour réduire encore plus la couche barrière (308) et éliminer un éventuel reliquat de cuivre (318) jusqu'à arriver au niveau de la couche d'oxyde (304). Il en résulte une structure de cuivre damasquinée exempte de bombage.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Fabrication process for dishing-free cu damascene structures does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Fabrication process for dishing-free cu damascene structures, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Fabrication process for dishing-free cu damascene structures will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1893058