H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 9/00 (2006.01) H01J 3/02 (2006.01) H01J 9/02 (2006.01)
Patent
CA 2221443
A process for fabricating, in a planar substrate, a hermetically sealed chamber for a field-emission cell or the like, allows operating the device in a vacuum or a low pressure inert gas. The process includes methods of covering an opening (160), enclosing the vacuum or gas, and methods of including an optional quantity of gettering material. An example of a device using such a hermetically sealed chamber is a lateral-emitter field-emission device (10) having a lateral emitter (100) parallel to a substrate (20) and having a simplified anode structure (70). In one simple embodiment, a control electrode (140) is positioned in a plane above the emitter edge (110) and automatically aligned to that edge. The simplified devices are specially adapted for field emission display arrays. An overall fabrication process uses steps (S1-S18) to produce the devices and arrays. Various embodiments of the fabrication process allow the use of conductive or insulating substrates (20), allow fabrication of devices having various functions and complexity, and allow covering a trench opening (160) etched through the emitter and insulator, thus enclosing the hermetically sealed chamber.
Procédé permettant de fabriquer, dans un substrat plan, une chambre scellée hermétiquement destinée à loger une cellule à émission de champ ou un élément semblable et permettant le fonctionnement du dispositif sous un vide ou dans un gaz inerte à basse pression. Le procédé comprend le recouvrement d'une ouverture (160), la création d'un vide ou l'inclusion d'un gaz, et fait appel à des méthodes relatives à l'inclusion d'une quantité optionnelle d'un matériau constituant le getter. Ce type de chambre peut loger par exemple un émetteur latéral à émission de champ (100), celui-ci étant parallèle au substrat (20) et ayant une structure anodique simplifiée (70). Dans une application simple, une électrode de commande (140) est placée sur un plan au-dessus du bord de l'émetteur (110) et se trouve par le fait même alignée avec ce bord. Les dispositifs simplifiés conviennent particulièrement bien aux réseaux de commandes d'affichage à émission de champ. Le procédé de fabrication comprend les étapes (S1-S18) relatives à la fabrication de ces dispositifs et réseaux. Diverses applications du procédé de fabrication permettent l'utilisation de substrats conducteurs ou isolants (20), la fabrication de dispositifs à fonctions diverses et de complexité variable, ainsi que le recouvrement d'une tranchée (160) gravée dans l'émetteur et l'isolant, assurant ainsi l'étanchéité de la chambre.
Advanced Vision Technologies Inc.
Potter Michael D.
Smart & Biggar
LandOfFree
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