C - Chemistry – Metallurgy – 01 – F
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
F
C01F 17/00 (2006.01) C01G 45/00 (2006.01) C01G 47/00 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) H01G 7/06 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 29/51 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 41/187 (2006.01) H01L 21/314 (2006.01)
Patent
CA 2238857
A ferroelectric material having a basic structure of REMnO3, said ferroelectric material comprises RE and Mn one of which is contained in excess of the other to a limit of 20 at. % or the ferroelectric material is further added with a 4-valence element. Also, a method of forming a ferroelectric material, comprises decreasing an oxygen partial pressure within a growth reactor such as a vacuum deposition reactor, and forming a film on a film-forming surface of a substrate (4) while blowing an oxidizing source thereto. This structure provides a ferroelectric material low in leak current and improved in ferroelectric characteristics. Where using the material for a semiconductor memory device, its characteristics can be improved.
L'invention a trait à un matériau ferro-électrique dont la structure de base comprend du ReMnO3, dans lequel la présence de l'un des éléments Re ou Mn est supérieure à l'autre élément de 20 % au plus, ou un élément quadrivalent est ajouté. Dans un procédé de fabrication de ce matériau ferro-électrique, on applique une faible pression partielle d'oxygène dans un appareillage de tirage tel un appareillage de dépôt sous vide, et une couche se forme pendant qu'une source d'oxydation est appliquée par soufflage à partir d'un passage (6) d'alimentation de source d'oxydation, sur une surface d'un substrat (4) sur laquelle une couche doit être déposée. Grâce à cette constitution, on obtient un matériau ferro-électrique à faible courant de fuite, et doté de caractéristiques ferro-électriques améliorées, et lorsque ce matériau est utilisé pour une mémoire à semi-conducteurs, les caractéristiques de cette mémoire à semi-conducteurs peuvent être améliorées.
Fujimura Norifumi
Kamisawa Akira
Riches Mckenzie & Herbert Llp
Rohm Co. Ltd.
LandOfFree
Ferroelectric material, method of manufacturing the same,... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Ferroelectric material, method of manufacturing the same,..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Ferroelectric material, method of manufacturing the same,... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1622433