Field effect transistor

Details Field effect transistor Field effect transistor

H - Electricity

01

L

H01L 29/772 (2006.01) H01L 29/80 (2006.01)

Patent

CA 2225844

A heterostructure insulated-gate field effect transistor comprises a channel layer, barrier layer and a contact layer. The barrier layer is made of a material having an electron affinity smaller than that of the channel layer and equal to that of the contact layer. Due to the single heterostructure, the series resistance between the channel layer and the source (drain) electrode can be decreased without employing complicated selective ion implanting or selective epitaxial growing method.

L'invention est un transistor à effet de champ à grille isolée à hétérostructure comportant une couche de canalisation, une couche de blocage et une couche de contact. La couche de blocage est faite d'un matériau ayant une affinité électronique inférieure à celle de la couche de canalisation et égale à celle de la couche de contact. En raison de l'existence d'une seule hétérostructure, la résistance série entre la couche de canalisation et l'électrode de source (drain) peut être réduite sans qu'il soit nécessaire d'utiliser une méthode compliquée d'implantation sélective d'ions ou de croissance épitaxiale sélective.

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