Fine protuberance structure and method of production thereof

Details Fine protuberance structure and method of production thereof Fine protuberance structure and method of production thereof

H - Electricity

01

L

H01L 21/24 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)

Patent

CA 2311902

A fine particle of metal is disposed on a semiconductor substrate. With the exception of a position of disposition of the fine particle of metal, a covering layer is formed on a surface of the semiconductor substrate. Thereafter, heat treatment is implemented at a temperature higher than that where constituent atoms of the semiconductor substrate and constituent atoms of the fine particle of metal dissolve at an interface thereof due to interdiffusion in a vacuum atmosphere. Thus, a fine projection structure that comprises a semiconductor substrate and a fine projection consisting of a solid solution of the semiconductor substrate and the metal is obtained. The fine projection is formed with part thereof precipitating in the semiconductor substrate. The fine projection structure as this largely contributes in realizing high integration semiconductor devices and quantum size devices.

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à protubérances fines, constituée d'un substrat semi-conducteur et de protubérances fines comprenant une solution de métal semi-conducteur. Ledit procédé consiste à disposer des particules métalliques fines sur le substrat semi-conducteur, à former une couche de revêtement sur les parties de la surface dudit substrat autres que celles où les particules métalliques fines sont placées et à traiter thermiquement le produit résultant dans une atmosphère sous vide, à des températures non inférieures à la température à laquelle les atomes constituants du substrat semi-conducteur et les atomes constituants des particules métalliques fines sont exposés à la solution solide, en raison de la diffusion réciproque au niveau de l'interface. Les protubérances formées sont dans un état où une partie de celles-ci pénètre dans le substrat semi-conducteur. La structure à protubérances fines facilite largement la mise en place de gros dispositifs à circuit intégré et de dispositifs quantiques.

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