G - Physics – 21 – D
Patent
G - Physics
21
D
G21D 7/00 (2006.01) G21H 1/06 (2006.01)
Patent
CA 2431372
A nuclear reactor including a core having nuclear fuel material, moderator material and a semiconductor device, the core being subcritical (see Fig.5). The reactor also includes a fission-inducing source which is movable from a first position outside the core to a second position inside the core, whereby the core becomes subcritical. The reactor also includes a neutron reflector which surrounds the core and includes an opening to permit insertion and removal of the fission-inducing source. Preferably, the core consists of concentric cylinders of the semiconductor device, the nuclear fuel material, and the semiconductor device, whereby the nuclear fuel material is sandwiched between layers of the semiconductor device. The semiconductor device is selected from a group including p-n junction diodes and Schottky barier diodes.
Cette invention concerne un réacteur nucléaire dont le coeur contient le combustible nucléaire, la substance du ralentisseur et un dispositif semi-conducteur. Le coeur en soi à une masse sub-critique. Le réacteur comporte également une source provoquant la fission qui peut passer d'une première position en dehors du coeur à une seconde position à l'intérieur du coeur, position à laquelle le coeur devient critique. Enfin, le réacteur comporte un réflecteur de neutrons qui entoure le coeur et qui comporte une ouverture par laquelle la source qui provoque la fission peut être introduite et retirée. Dans le cas d'applications terrestres par exemple, le réacteur comportera également un blindage autour du déflecteur de neutrons. Le coeur est constitué de préférence de couches cylindriques concentriques de dispositif semi-conducteur, de combustible nucléaire et de dispositif semi-nucléaire, le combustible nucléaire étant pris en sandwich entre des couches du matériau semi-conducteur. Le combustible nucléaire se présente sous la forme d'une mince feuille ou d'un dépôt d'une épaisseur comprise entre of 1,5 mg/cm?2¿ et 10 mg/cm?2¿, cette épaisseur étant fonction du type de combustible utilisé. Le dispositif semi-conducteur se caractérise par un fort pouvoir collecteur électrique qui lui permet de résister à la fois aux températures élevées et aux fluences élevées de particules provoquées par le combustible nucléaire. Le dispositif semi-conducteur est pris dans le groupe comprenant des diodes à jonction p-n et des diodes Schottky.
Nuclear Energy R. & D. Partnership
Osler Hoskin & Harcourt Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1677121