Flash memory program inhibit scheme

G - Physics – 11 – C

Patent

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Details

G11C 7/12 (2006.01) G11C 16/24 (2006.01)

Patent

CA 2664851

A method for minimizing program disturb in Flash memories. To reduce program disturb in a NAND Flash memory cell string where no programming from the erased state is desired, a local boosted channel inhibit scheme is used. In the local boosted channel inhibit scheme, the selected memory cell in a NAND string where no programming is desired, is decoupled from the other cells in the NAND string. This allows the channel of the decoupled cell to be locally boosted to a voltage level sufficient for inhibiting F-N tunneling when the corresponding wordline is raised to a programming voltage. Due to the high boosting efficiency, the pass voltage applied to the gates of the remaining memory cells in the NAND string can be reduced relative to prior art schemes, thereby minimizing program disturb while allowing for random page programming.

Procédé permettant de minimiser la perturbation de programme dans des mémoires flash. Afin de réduire la perturbation de programme dans une chaîne de cellules de mémoire flash NON-ET où aucune programmation à partir de l'état effacé est souhaitée, un plan d'inhibition de canal amplifié local est utilisé. Dans le plan d'inhibition de canal amplifié local, la cellule de mémoire sélectionnée dans une chaîne NON-ET où aucune programmation n'est souhaitée, est découplée des autres cellules dans la chaîne NON-ET. Cela permet au canal de la cellule découplée d'être localement amplifié à un niveau de tension suffisant pour inhiber une tunnellisation F-N quand la ligne de mots est élevée à une tension de programmation. A cause de l'efficacité de l'amplification élevée, la tension de passage appliquée aux portes des cellules de mémoire restantes dans la chaîne NON-ET peut être réduite par rapport aux plans de l'art antérieur, ce qui minimise la perturbation de programme tandis qu'une programmation de page aléatoire peut être réalisée.

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