Flash multi-level threshold distribution scheme

G - Physics – 11 – C

Patent

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G11C 16/04 (2006.01) G11C 7/10 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) G11C 16/02 (2006.01)

Patent

CA 2659872

A threshold voltage distribution scheme for multi-level Flash cells where an erase threshold voltage and at least one programmed threshold voltage lie in an erase voltage domain. Having at least one programmed threshold voltage in the erase voltage domain reduces the Vread voltage level to minimize read disturb effects, while extending the life span of the multi-level Flash cells as the threshold voltage distance between programmed states is maximized. The erase voltage domain can be less than 0V while a program voltage domain is greater than 0V. Accordingly, circuits for program verifying and reading multi-level Flash cells having a programmed threshold voltage in the erase voltage domain and the program voltage domain use negative and positive high voltages.

La présente invention concerne un mécanisme de répartition de tensions de seuil pour cellules Flash multiniveaux, selon lequel une tension de seuil d'effacement et au moins une tension de seuil programmée sont comprises dans un domaine de tension d'effacement. Le fait que le domaine de tension d'effacement contienne au moins une tension de seuil programmée permet de réduire le niveau de tension Vlecture, de façon à réduire au minimum les effets de perturbation de lecture, tout en allongeant la durée de vie des cellules Flash multiniveaux grâce à l'augmentation maximale de la distance de tension de seuil entre les états programmés. Le domaine de tension d'effacement peut être inférieur à 0V tandis qu'un domaine de tension de programme est supérieur à 0V. Par conséquent, des circuits de vérification de programme et de lecture de cellules flash multiniveaux présentant une tension de seuil programmée dans le domaine de tension d'effacement et le domaine de tension de programme font appel à des tensions élevées négatives et positives.

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