H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/786 (2006.01) G01T 1/29 (2006.01) H01L 31/119 (2006.01)
Patent
CA 2208762
A novel thin film transistor (TFT) structure for minimizing parasitic capacitances on both the drain and source electrodes. According to a first embodiment, a triple gate TFT is provided with an open gate structure in which the source and drain electrodes are non overlapping with the top gate electrode. A pair of bottom gate electrodes being aligned respectively with the first gap between the gate and source and the second gap between the gate and drain. According to a second embodiment of the invention, a full transfer TFT switch is provided having a source, a drain, a bottom gate and semi- conductor layer therebetween, and a partial top gate overlapping a portion of the drain and a portion of the semiconductor layer for creating a generally triangular-shaped charge density distribution in the semiconductor layer for moving channel electrons toward the source electrode.
L'invention concerne une nouvelle structure de transistor à couche mince permettant de réduire au minimum les capacitances parasites des électrodes à la fois de drain et de source. Dans une première forme d'exécution, un transistor à couche mince à triple grille est doté d'une structure de grille ouverte dans laquelle les électrodes de source et de drain ne chevauchent pas l'électrode de grille supérieure. Deux électrodes de grille inférieures sont alignées avec respectivement un premier espacement entre la grille et la source et un second espacement entre la grille et le drain. Selon une seconde forme d'exécution de l'invention, un commutateur à transistor à couche mince à transfert complet est doté d'une source, d'un drain et d'une grille inférieure avec une couche semi-conductrice intermédiaire, ainsi qu'une grille supérieure partielle chevauchant une partie du drain et une partie de la couche semi-conductrice, pour créer une répartition de la densité des charges sensiblement triangulaire dans la couche semi-conductrice, et déplacer les électrons du canal vers l'électrode de source.
Huang Zhong Shou
Wright John
Ifire Technology Corp.
Litton Systems (canada) Limited
Sim & Mcburney
LandOfFree
Flat panel imaging system does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Flat panel imaging system, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Flat panel imaging system will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1436816