Folded memory layers

Details Folded memory layers Folded memory layers

G - Physics

11

C

G11C 11/22 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01)

Patent

CA 2465341

In a ferroelectric or electret volumetric memory device with a memory material provided in sandwich between first and second electrode layers (2;4) with stripe-like electrodes forming word lines (2a) and bit lines (4a) of a matrix-addressable memory array (M), memory cells are defined in volumes of memory material in between two crossing word lines (2a) and bit lines (4a) and a plurality of memory arrays (M) are provided in a stacked arrangement. A stack (S) of memory arrays (M) is formed by two or more ribbon-like structures (R), which are folded and/or braided into each other. Each ribbon-like structure (R) comprises a flexible substrate (3) of non-conducting material and at least one electrode layer (2,4) respectively provided on a surface of the substrate and comprising the parallel strip-like electrodes extending (2a,4a) along the ribbon-like structure (R). A layer of memory material (1) covers one of the electrode layers (2,4), whereby each memory array (M) of the stack (S) is formed by overlapping portions of a pair of adjacent ribbon-like structures (R k, R k+1) crossing in substantially orthogonal relationship.

Selon l'invention, dans une mémoire volumétrique ferroélectrique ou à électret, comportant un matériau de mémoire pris en sandwich entre une première couche d'électrodes et une seconde couche d'électrodes (2; 4) comprenant des électrodes du type bande formant des lignes de mots (2) et des lignes de bits (4) d'un groupement de mémoire (M) adressable par matrice, les cellules de mémoire sont définies par volumes de matériau de mémoire compris entre deux lignes de mots (2) et lignes de bits (4) se croisant, et une pluralité de groupements de mémoires sont disposés en pile. Une pile (S) de groupements de mémoires (M) est formée d'au moins deux structures du type ruban (R) qui sont pliées et/ou tressées l'une avec l'autre. Chaque structure du type ruban (R) comprend un substrat (3) flexible constitué d'un matériau non conducteur et des couches d'électrodes (2; 4) se trouvant sur chacune des surfaces du substrat et comprenant les électrodes du type bande parallèles qui s'étendent le long de la structure du type ruban (R). Une couche de matériau de mémoire (1) couvre une de couches d'électrodes, chaque groupement de mémoires (M) de la pile (S) étant formé par des parties se chevauchant d'une paire de structures du type ruban (Rk, Rk+1) adjacentes, qui se croisent sensiblement en angle droit.

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