Formation of a hybrid integrated circuit device

Details Formation of a hybrid integrated circuit device Formation of a hybrid integrated circuit device

G - Physics

06

F

G06F 17/50 (2006.01) H01L 21/58 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01) H01L 25/065 (2006.01) H03K 19/177 (2006.01)

Patent

CA 2704707

Formation of a hybrid integrated circuit device (400) is described. A design for the integrated circuit (100) is obtained and separated into at least two portions responsive to component sizes. A first die (200) is formed for a first portion of the hybrid integrated circuit device (400) using at least in part a first minimum dimension lithography. A second die (300) is formed for a second portion of the device using at least in part a second minimum dimension lithography, where the second die (300) has the second minimum dimension lithography as a smallest lithography used for the forming of the second die (300). The first die (200) and the second die (300) are attached to one another via coupling interconnects respectively thereof to provide the hybrid integrated circuit device (400).

L'invention concerne la formation d'un dispositif à circuit intégré hybride (400). Une conception du circuit intégré (100) est obtenue et séparée en au moins deux parties selon les tailles des composants. Une première matrice (200) est formée pour une première partie du dispositif à circuit intégré hybride (400) en utilisant au moins en partie une première lithographie de dimension minimale. Une seconde matrice (300) est formée pour une seconde partie du dispositif en utilisant au moins en partie une seconde lithographie de dimension minimale, la seconde matrice (300) ayant la seconde lithographie de dimension minimale comme lithographie la plus petite utilisée pour la formation de la seconde matrice (300). La première matrice (200) et la seconde matrice (300) sont fixées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'interconnexions de couplage, respectivement, de celles-ci, pour fournir le dispositif à circuit intégré hybride (400).

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