Forming contacts on semiconductor substrates for radiation...

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H - Electricity

01

L

H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/8234 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01)

Patent

CA 2238827

A method, suitable for forming metal contacts (31) on a semiconductor substrate (1) at positions for defining radiation detector cells, includes the steps of forming one or more layers of material (11, 12) on a surface of the substrate with openings (23) to the substrate surface at the contact positions; forming a layer of metal (24) over the layer(s) of material and the openings; and removing metal at (28) overlying the layer(s) of material to separate individual contacts. Optionally, a passivation layer (11) to be left between individual contacts on the substrate surface, may be applied during the method. A method according to the invention prevents etchants used for removing unwanted gold (or other contact matter) coming into contact with the surface of the substrate (e.g. CdZnTe) and causing degradation of the resistive properties of that substrate. The product of the method and uses thereof are also described.

Ce procédé, conçu pour former des contacts (31) métalliques sur un substrat semi-conducteur (1) en des emplacements servant à délimiter des cellules de détection de rayonnement, comprend les étapes consistant à former une ou plusieurs couches de matériau (11, 12) sur une surface du substrat, ainsi que des ouvertures (23) sur la surface du substrat au niveau des emplacements de contact, à former une couche de métal (24) sur la ou les couche(s) de matériau et sur les ouvertures, puis à enlever le métal en (28) recouvrant la ou les couche(s) de matériau afin de séparer les contacts individuels. Le cas échéant, on peut appliquer, au cours de ce procédé, une couche de passivation (11) à laisser, sur la surface du substrat, entre des contacts individuels. Le procédé de l'invention empêche les substances d'attaque chimique, utilisées pour enlever l'or non voulu (ou une autre matière de contact), d'entrer en contact avec la surface du substrat (par exemple CdZnTe) et de provoquer la dégradation des propriétés résistives de celui-ci. On décrit également le produit obtenu à l'aide de ce procédé, ainsi que les utilisations de celui-ci.

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