G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 27/18 (2006.01) G02B 13/14 (2006.01) G02B 17/06 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01)
Patent
CA 2247709
An all reflective ring field projection optic system for use in scanning photolithography used in the manufacture of semiconductor wafers. The projection optics are designed for wavelengths in the extreme ultraviolet ranging from 11 to 13 nm to provide an arcuate image field for a reduction step and scan photolithography system. A sequence or configuration of mirrors from the long conjugate end to the short conjugate end consists of a convex, concave, convex, and concave mirror with an aperture stop being formed at or near the second convex mirror. This sequence of mirror powers provides a relatively large image field size while maintaining a relatively compact reticle wafer distance of less than 900 mm. The projection optics form an instantaneous annual field of up to 50mm x 2mm at the wafer, permitting scanning to cover a field on a wafer of at least 50mm x 50mm, greatly increasing throughput. The optical projection system can print features as small as 0.05 microns.
L'invention est un système optique de projection à zone annulaire à réflexion intégrale pour la photolithographie à balayage utilisée dans la fabrication des plaquettes de semi-conducteur. Ce système de projection optique est conçu pour les longueurs d'onde dans l'ultraviolet extrême allant de 11 à 13 nm et sert à produire des champs d'image courbes pour un système de photolithographie à réduction et à balayage. Ce système optique utilise un ensemble ou une configuration de miroirs montés entre l'extrémité conjuguée longue et l'extrémité conjuguée courte, cet ensemble étant constitué par une suite de miroirs convexe, concave, convexe et concave, avec un diaphragme d'ouverture formé au second miroir convexe ou au voisinage de celui-ci. Cette suite de puissances de miroir permet d'obtenir un champ d'image relativement étendu tout en maintenant la distance entre le réticule et la plaquette inférieure à 900 mm. Le système de projection optique de l'invention produit un champ annulaire instantané pouvant atteindre 50 mm x 2 mm à la plaquette, ce qui permet au balayage de couvrir sur la plaquette un champ d'au moins 50 mm x 50 mm et accroît considérablement le débit. Il peut imprimer des détails mesurant à peine 0,05 micromètre.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
Svg Lithography Systems Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1714686