H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/12 (2006.01)
Patent
CA 2352059
A gain-coupled distributed feedback semiconductor laser achieves high optical output without causing an increase in threshold current or a decrease in emission efficiency. The gain-coupled distributed feedback semiconductor laser comprises a diffraction grating at least in a portion of a resonator, and its gain or loss changes periodically. One end of the laser has a reflectivity of less than 3%, while the other end has a reflectivity of less than 60% but greater than that of the former. The gain-coupled distributed feedback semiconductor laser is of absorptive grating type, in which the resonance length is preferably 400 µm.
L'invention concerne un laser à semi-conducteur à rétroaction répartie et à coulage de gain qui atteint une puissance élevée de sortie optique sans augmenter le courant seuil ni amoindrir l'efficacité d'émission. Ledit laser présente un réseau de diffraction dans au moins une partie d'un résonateur et son gain ou sa perte varient périodiquement. Une extrémité du laser fait preuve d'une réflexivité inférieure à 3 % tandis que l'autre extrémité fait preuve d'une réflexivité inférieure à 60 % mais supérieure à la première. Le laser à semi-conducteur à rétroaction répartie et à couplage de gain est de type réseau absorbant où la longueur de résonance est de préférence de 400 µm.
Funabashi Masaki
Kasukawa Akihiko
Smart & Biggar
The Furukawa Electric Co. Ltd.
LandOfFree
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