H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/201 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01)
Patent
CA 2444273
A gallium nitride compound semiconductor element long in service life and excellent in temperature characteristics, wherein a first cap layer (108a) containing low-concentration n-type impurities and p-type impurities (preferably non-dope grown), and a second cap layer including Al and doped with p-type impurities are laminated on an active layer (107) consisting of an n-type gallium nitride compound semiconductor including In and doped with n- type impurities to thereby restrict compensation by a donor and an acceptor near the interface between the active layer and the cap layer.
La présente invention concerne un élément semiconducteur à composé de nitrure de gallium d'une longue durée de vie et dont les caractéristiques de température sont excellentes. Une première couche (108a) d'encapsulation contenant une faible concentration d'impuretés de type n et de type p (de préférence non dopée), et une seconde couche d'encapsulation comprenant Al et dopée avec des impuretés de type p sont laminées sur une couche (107) active constituée d'un semiconducteur à composé de nitrure de gallium de type n comprenant In et dopée avec des impuretés de type n de façon à restreindre une compensation par un donneur et un accepteur près de l'interface entre cette couche active et la couche encapsulée.
Kirby Eades Gale Baker
Nichia Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1537514