C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/509 (2006.01)
Patent
CA 2177605
The apparatus includes a gas diffuser plate(14) having an integral heat pipe (20) for accurately controlling the temperature of the diffuser plate (14) during CVD processing to prevent unwanted tungsten (or other material) deposition on the diffuser plate. The apparatus is also useful as an RF plasma cleaning in which the diffuser plate (14) acts as an RF electrode, the heat pipe tube (22) acts as an RF input lead, and the apparatus further includes a connector (89) to an RF power source. Additionnaly in combination, the heat pipe cooled gas diffuser plate (14) and RF electrode may be used advantageously in plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
Appareil comprenant une plaque de diffusion de gaz (14) comportant un caloduc (20) solidaire par construction, qui sert à réguler la température de la plaque (14) pendant un traitement de dépot chimique en phase vapeur afin d'empêcher le tungstène (ou tout autre matière indésirable) de se déposer sur ladite plaque de diffusion. Cet appareil peut également servir de dispositif de nettoyage au plasma haute fréquence dans lequel la plaque (14) de diffusion agit comme électrode haute fréquence et le tuyau (22) du caloduc agit comme conducteur d'entrée haute fréquence. Cet appareil comprend également un connecteur (89) prévu pour une source de puissance radioélectrique. En outre, la plaque (14) de diffusion de gaz refroidie par caloduc et l'électrode haute fréquence peuvent être associés et avantageusement utilisés dans des procédés de dépot chimique en phase vapeur enrichi en plasma.
Garcia Al
Vanell James
Gowling Lafleur Henderson Llp
Tokyo Electron Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1657474