C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) H01J 37/34 (2006.01)
Patent
CA 2208342
An improved device for off-axis magnetron sputter deposition of inorganic oxide compounds having a sputter gun, target (25), substrate (1), gas flow means (21) and enclosure chamber wherein the improvement comprises a hollow gas flow manifold (27) positioned between the substrate (1) and the target (25) having at least one gas inlet and at least one outlet opening (28) on the manifold, said outlet opening (28) positioned to direct the gas flow away from the target and in the direction of the substrate, and a process for such deposition are disclosed.
L'invention décrit un dispositif amélioré pour réaliser le dépôt hors axe par pulvérisation cathodique de composés oxydes inorganiques à l'aide d'un magnétron, lequel comporte un canon de pulvérisation cathodique, une cible (25), un substrat (1), des organes d'écoulement de gaz (21) et une chambre-enceinte, et dans lequel l'amélioration consiste en un collecteur creux d'écoulement de gaz (27) positionné entre le substrat (1) et la cible (25), pourvu d'au moins une admission de gaz et d'au moins un orifice de sortie (28) placé sur le collecteur, ledit orifice de sortie (28) étant positionné pour détourner l'écoulement de gaz de la cible et l'envoyer dans la direction du substrat, ainsi qu'un procédé pour réaliser un tel dépôt.
Face Dean Willett
Myers Kirsten Elizabeth
Bennett Jones Llp
E.i. Du Pont de Nemours And Company
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1530195