G - Physics
01
N
G01N 27/414 (2006.01)
Patent
CA 2544939
A gas sensor device (10, 32, 48, 62) including a semiconductor substrate (12, 34, 50, 64); one or more catalytic gate-electrodes (14, 44, 58, 70) deposited on a surface of the semiconductor substrate; one or more ohmic contacts (16, 18, 40, 42, 54, 56, 66, 68) deposited on the surface of the semiconductor substrate and a passivation layer (38, 60, 72) deposited on at least a portion of the surface; wherein the semiconductor substrate includes a material selected from the group consisting of silicon carbide, diamond, Group III nitrides, alloys of Group III nitrides, zinc oxide, and any combinations thereof.
L'invention concerne un dispositif détecteur de gaz comprenant un substrat semi-conducteur; une ou plusieurs électrode(s) de grille catalytiques déposée(s) sur une surface du substrat semi-conducteur; un ou plusieurs contact(s) ohmique(s) déposé(s) sur la surface du substrat semi-conducteur; et une couche de passivation déposée sur au moins une partie de la surface. Le substrat semi-conducteur comprend un matériau sélectionné dans le groupe constitué par carbure de silicium, diamant, nitrures du groupe III, alliages de nitrures du groupe III, oxyde de zinc et des combinaisons quelconques de ceux-ci.
Haitko Deborah Ann
Lemmon John Patrick
Male Jonathan Lloyd
Manivannan Venkatesan
Sandvik Peter Micah
Company General Electric
Craig Wilson And Company
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1990164