C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/448 (2006.01)
Patent
CA 2399477
The invention relates to a gas supply device for delivering precursors with a low vapor pressure to CVD coating systems. Said gas supply device has a supply container for the precursor which is at a first temperature T1, an intermediate storage device for intermediately storing the vaporous precursor at a second temperature T2 and at a constant pressure p2, a first gas line between the supply container and the intermediate storage device and a second gas line for removing gas from the intermediate storage device. According to the invention, the gas supply device is developed in such a way that the first temperature T1 is higher than the second temperature T2. The lower temperature T2 of the intermediate storage device facilitates maintenance work on the same, while the precursor evaporates at a greater rate at the higher temperature T1 in the supply container. According to a particularly advantageous embodiment, a first precursor vapor is mixed with a gas and/or a second precursor vapor in the intermediate storage device. The partial pressure of the first precursor vapor in the intermediate storage device is lower than that of the undiluted first precursor vapor at a constant overall pressure in said intermediate storage device, so that the temperature T2 of the intermediate storage device and the successive lines can be reduced. Reducing the temperature T2 allows less expensive components to be used.
L'invention concerne un dispositif d'alimentation en gaz destiné à céder des précurseurs de faible pression de vapeur à des installations de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur. Ce dispositif présente un réservoir de stockage destiné au précurseur à une première température T1, un réservoir intermédiaire destiné au stockage temporaire du précurseur à l'état de vapeur à une deuxième température T2 et à une pression constante p2, une première conduite de gaz reliant le réservoir de stockage au réservoir intermédiaire et une deuxième conduite de gaz destinée au prélèvement du gaz contenu dans le réservoir intermédiaire. Selon l'invention, le dispositif d'alimentation en gaz est amélioré de telle façon que la première température T1 soit supérieure à la deuxième température T2. La moindre température T2 du réservoir intermédiaire facilite les travaux de maintenance sur ce réservoir intermédiaire, tandis que la température T1 plus élevée du réservoir de stockage augmente le taux de vaporisation du précurseur. Selon une conception particulièrement avantageuse, une première vapeur de précurseur est mélangée dans le réservoir intermédiaire à un gaz et/ou à une deuxième vapeur de précurseur. La pression partielle de la première vapeur de précurseur dans le réservoir intermédiaire est alors inférieure à celle de la première vapeur de précurseur non diluée pour la même pression globale dans le réservoir intermédiaire, de telle façon que la température T2 régnant dans le réservoir intermédiaire et les conduites suivantes puisse être réduite. La réduction de la température T2 permet de réduire le coût des composants.
Bauch Hartmut
Bewig Lars
Klippe Lutz
Kupper Thomas
Glas Schott
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1917059