H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/10 (2006.01) H01S 3/00 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01)
Patent
CA 2318758
A system and method for generating a laser beam from a semiconductor laser (10) in order to eliminate or substantially reduce filamentation of the laser beam. The system and method utilizes an external optical member such as a reflector (22) to improve or enhance the overall laser beam quality produced. The reflector (22) has a Gaussian intensity profile promoting cavity such as a parabolic cavity (24), with the cavity (24) having a focal length (f) a preselected distance from the cavity surface. The semiconductor laser (10) is positioned such that the facet of the semiconductor laser (10) is at the focal length distance (f) from the cavity surface. The cavity (24) has a mode- selecting reflective surface such that the beam has a substantially Gaussian intensity profile. A beam splitter can be optionally employed between the semiconductor laser (10) and the optical reflector (22) for certain applications if desired. Alternatively, an external digital optics member can be employed with a semiconductor laser (10) to produce a beam with a substantially Gaussian intensity profile.
L'invention concerne un système et un procédé destinés à générer un faisceau laser à partir d'un laser à semi-conducteur (10), en vue d'éliminer ou de réduire sensiblement la filamentation du faisceau laser. Le système et le procédé utilisent un élément optique externe, tel qu'un réflecteur (22), en vue d'améliorer ou d'accroître la qualité d'ensemble du faisceau laser produit. Le réflecteur (22) présente une cavité promouvant le profil d'intensité gaussien, par exemple, une cavité parabolique (24), ladite cavité (24) étant à une distance à longueur focale (f) prédéterminée de la surface de la cavité. Le laser à semi-conducteur (10) est positionné de telle façon que la facette du laser à semi-conducteur (10) soit à la distance à longueur focale (f) de la surface de la cavité. La cavité (24) présente une surface réfléchissante à sélection de mode, telle que le faisceau ait un profil d'intensité sensiblement gaussien. Pour certaines applications, un diviseur de faisceau peut être employé, si on le désire, entre le laser à semi-conducteur (10) et le réflecteur optique (22). En variante, un élément optique numérique externe peut être utilisé avec un laser à semi-conducteur (10) en vue de produire un faisceau à profil d'intensité sensiblement gaussien.
Hwu Ruey-Jen
Xu Wei
Cassan Maclean
The University Of Utah Research Foundation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1597632