Grating-grating interferometric alignment system

Details Grating-grating interferometric alignment system Grating-grating interferometric alignment system

G - Physics

01

B

G01B 9/02 (2006.01) G03F 9/00 (2006.01)

Patent

CA 2180941

The present invention provides a grating-grating interferometric alignment system for microlithography. It includes an electromagnetic radiation source (116) of a coherent single or multiple discrete wavelengths or in some cases broadband electromagnetic radiation (132), a detector (116) of the intensity of the return electromagnetic radiation (134), x- and y- oriented independent linear mask grating (109), a checkerboard pattern wafer grating (110), and frequency component extraction (118), phase detection (120), and signal processing (121) for determining alignment from the return electromagnetic radiation (134) intensity measured as a function of the relative position of the wafer and mask grating (109, 110).

L'invention concerne un système d'alignement interférométrique réseau-réseau destiné à la microlithographie. Il comprend une source de rayonnement électromagnétique (116) à longueurs d'ondes individuelles ou multiples discrètes cohérentes, ou dans certain cas un rayonnement électromagnétique (132) à bande large, un détecteur (116) de l'intensité du rayonnement électromagnétique de retour (134), un réseau (109) de masque linéaire indépendant à orientation x et y, un réseau (110) de tranche de configuration en échiquier, ainsi qu'une extraction (118) de composantes de fréquence, une détection de phase (120), et un traitement (121) de signal destiné à déterminer l'alignement à partir de l'intensité du rayonnement (134) électromagnétique de retour mesurée en tant que fonction de la position relative du réseau de tranche et de masque (109, 110).

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