H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/363 (2006.01)
Patent
CA 2555582
A CaF2 buffer layer (3) is formed on a CaF2 (111) substrate (2) by an MBE method. Furthermore, a CuCl thin film is grown on the CaF2 buffer layer (3) by the MBE method while irradiating it with an electron beam to form an electro beam irradiation film (1a). Subsequently, a CuCl thin film is grown by the MBE method without the irradiation of electron beam to form an electron beam non-irradiation film (1b), thereby thus forming a CuCl thin film (a) including the electron beam irradiation film (1a) and the electron beam non-irradiation film (1b). Consequently, a CuCl thin film (1) exhibiting high planarity and crystallinity can be formed.
Une couche tampon en CaF¿2? (3) est formée sur un substrat en CaF¿2? (111) (2) selon un procédé MBE. De plus, un film mince en CuCl est développé sur la couche tampon en CaF¿2? (3) selon un procédé MBE tout en l~irradiant avec un faisceau électronique pour constituer un film d~irradiation à faisceau électronique (1a). Ensuite, un film mince en CuCl est développé selon un procédé MBE dans un état tel que l~irradiation à faisceau électronique est interrompue afin de constituer un film de non-irradiation à faisceau électronique (1b), pour produire ainsi un film mince en CuCl (1) composé du film d~irradiation à faisceau électronique (1a) et du film de non-irradiation à faisceau électronique (1b). En conséquence, on peut obtenir un film mince en CuCl (1) de planéité élevée et de forte cristallinité.
Ashida Masaaki
Itoh Tadashi
G. Ronald Bell & Associates
Japan Science And Technology Agency
LandOfFree
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