H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2441310
A light emitting diode is provided having a Group III nitride based superlattice and a Group III nitride based active region on the superlattice. The active region has at least one quantum well structure. The quantum well structure includes a first Group III nitride based barrier layer, a Group III nitride based quantum well layer on the first barrier layer and a second Group III nitride based barrier layer. A Group III nitride based semiconductor device and methods of fabricating a Group III nitride based semiconductor device having an active region comprising at least one quantum well structure are provided. The quantum well structure includes a well support layer comprising a Group III nitride, a quantum well layer comprising a Group III nitride on the well support layer and a cap layer comprising a Group III nitride on the quantum well layer. A Group III nitride based semiconductor device is also provided that includes a gallium nitride based superlattice having at least two periods of alternating layers of InXGa1-XN and InYGa1-YN, where 0 <= X < 1 and O <= Y < 1 and X is not equal to Y. The semiconductor device may be a light emitting diode with a Group III nitride based active region. The active region may be a multiple quantum well active region.
L'invention concerne une diode électroluminescente qui possède un superréseau à base de nitrure du groupe III et une zone active à base de nitrure du groupe III. La zone active possède au moins une structure de puits quantique. La structure de puits quantique comprend une première couche barrière à base de nitrure du groupe III, une couche de puits quantique à base de nitrure du groupe III située sur la première couche barrière et une seconde couche barrière à base de nitrure du groupe III. L'invention concerne également un dispositif à semi-conducteurs à base de nitrure du groupe III et des procédés de fabrication de ce dispositif à semi-conducteurs à base de nitrure du groupe III possédant une zone active qui comprend au moins une structure de puits quantique. La structure de puits quantique comprend une couche de support de puits comprenant un nitrure du groupe III, une couche de puits quantique comprenant un nitrure du groupe III située sur la couche de support de puits quantique et une couche d'encapsulation comprenant un nitrure du groupe III située sur la couche du puits quantique. L'invention concerne également un dispositif à semi-conducteurs à base de nitrure du groupe III, qui comprend un superréseau à base de nitrure de gallium possédant au moins deux périodes de couches alternées de In¿X?Ga¿1-X?N et In¿Y?Ga¿1-Y?N, avec 0 <= X < 1 et O <= Y < 1, et X n'étant pas égal à Y. Ce dispositif à semi-conducteurs peut être une diode électroluminescente avec une zone active à base de nitrure du groupe III. Cette zone active peut être une zone active à multiples puits quantiques.
Abare Amber Christine
Bergmann Michael John
Doverspike Kathleen Marie
Emerson David Todd
Ibbetson James
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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