H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2305203
An optoelectronic device with a Group III nitride active layer is disclosed that comprises a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode with a Group III nitride active layer, a buffer structure selected from the group consisting of galllium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode; and a stress-absorbing structure comprising a plurality of predetermined stress-relieving areas within the crystal structure of the buffer structure, so that stress-induced cracking that occurs in the buffer structure occurs at predetermined areas rathen than elsewhere in the buffer structure.
Un dispositif optoélectronique comportant une couche active en nitrure du Groupe III comprend un substrat au carbure de silicium; une diode optoélectronique comportant une couche active en nitrure du Groupe III; une structure de tampon sélectionnée dans le groupe formé par nitrure de gallium et nitrure d'indium gallium située entre le substrat au carbure de silicium et la diode opto-électronique; et une structure absorbant les contraintes comprenant une pluralité de zones prédéterminées limitant les contraintes situées à l'intérieur de la structure cristalline de la structure de tampon, pour que la fissuration induite par les contraintes qui se produit dans la structure de tampon se produisent au niveau des zones prédéterminées plutôt qu'à un autre endroit dans la structure de tampon.
Doverspike Kathleen Marie
Edmond John Adam
Kong Hua-Shuang
Leonard Michelle Turner
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1476683