H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/06 (2010.01)
Patent
CA 2627823
A white-light emitting diode comprises an n-type semiconductor layer, one or more quantum well structures formed over the n-type semiconductor layer, a p- type semiconductor layer formed on the quantum well structure, a first electrode formed on the p-type semiconductor, and a second electrode formed on at least a portion of the n-type semiconductor layer. Each quantum well structure includes an InxGa1-xN quantum well layer, an InyGa1-yN barrier layer (x>0.3 or x=0.3), and InzGa1-zN quantum dots, where x<y<z<=1.
La présente invention concerne une diode émettant de la lumière blanche comprenant une couche semi-conductrice dopée n, une ou plusieurs structures de puits quantiques réalisées sur la couche semi-conductrice dopée n, une couche semi-conductrice dopée p réalisée sur la structure de puits quantiques, une première électrode réalisée sur la couche semi-conductrice dopée p, et une deuxième électrode réalisée sur une partie au moins de la couche semi-conductrice dopée n. Chaque structure de puits quantiques comporte une couche de puits quantiques InxGa1-xN, une couche barrière InyGa1-yN telle que x>0,3 ou x=0,3, et des points quantiques InzGa1-zN tels que x<y<z<=1.
Chen Peng
Chen Zhen
Chua Soo-Jin
Takasuka Eiryo
Agency For Science Technology And Research
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1770273