C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01)
Patent
CA 2533934
A method is disclosed for producing semi-insulating silicon carbide crystal with a controlled nitrogen content. The method includes the steps of introducing an ambient gas containing hydrogen into a sublimation growth chamber, heating a silicon carbide source powder to sublimation in the hydrogen ambient growth chamber while, heating and then maintaining a silicon carbide seed crystal in the hydrogen ambient growth chamber to a second temperature below the temperature of the source powder, at which second temperature sublimed species from the source powder will condense upon the seed crystal, continuing to heat the silicon carbide source powder until a desired amount of silicon carbide crystal growth has occurred upon the seed crystal, while maintaining an ambient concentration of hydrogen in the growth chamber sufficient to minimize the amount of nitrogen incorporated into the growing silicon carbide crystal, and while maintaining the source powder and the seed crystal during sublimation growth at respective temperatures high enough to increase the number of point defects in the growing crystal to an amount that renders the resulting silicon carbide crystal semi-insulating.
L'invention concerne un procédé de production d'un cristal de carbure de silicium semi-isolant au moyen d'une teneur en azote commandée. Le procédé comprend les étapes consistant à introduire un gaz de milieu renfermant de l'hydrogène dans une chambre de croissance par sublimation, à chauffer une poudre de source de carbure de silicium jusqu'à l'obtention de la sublimation dans la chambre de croissance à milieu d'hydrogène et à chauffer en même temps et à maintenir ensuite un germe de carbure de silicium dans la chambre de croissance à milieu d'hydrogène à une seconde température inférieure à la température de la poudre de source, à cette seconde température des espèces sublimées provenant de la poudre de source se condensant sur le germe, à poursuivre le chauffage de la poudre de source de carbure de silicium jusqu'à l'obtention d'une croissance de cristal de carbure de silicium suffisante sur le germe, à maintenir en même temps une teneur du milieu d'hydrogène dans la chambre de croissance, laquelle est suffisante pour minimiser la quantité d'azote incorporée dans le cristal de carbure de silicium se développant, et à maintenir en même temps la poudre de source et le germe pendant la croissance par sublimation à des températures respectives suffisamment élevées pour accroître le nombre de défauts ponctuels dans le cristal se développant jusqu'à l'obtention d'une quantité rendant le cristal de carbure de silicium obtenu semi-isolant.
Hobgood Hudson Mcdonald
Jenny Jason Ronald
Malta David Phillip
Tsvetkov Valeri F.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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