H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/32 (2006.01)
Patent
CA 2588076
Heterostructures are used for producing semiconductor injecting radiation sources such as injector lasers, semiconductor amplifying elements and semiconductor optical amplifiers for fibre-optical communications and data transmission systems, optical very high-speed computer and switching systems, for developing medical devices, laser processing equipment, lasers with doubled generated radiation frequency and for pumping solid-state and fibre lasers and amplifiers. The inventive heterostructure, injector laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier are substantially characterised by the modernisation of the heterostructure active field and inflowing area, the integrated selection of location, compositions, refractive indexes and the thicknesses of the layers thereof which ensure the efficient operation of the injector lasers, semiconductor amplifying elements and semiconductor optical amplifiers in the transition region, where the controlled radiation inflow of the active layer is formed.
La présente invention se rapporte à des hétérostructures, qui servent à produire des sources de rayonnement à injection semi-conductrices, à savoir des lasers à injection, des éléments amplificateurs semi-conducteurs, des amplificateurs optiques semi-conducteurs utilisés dans des systèmes de communication et de transmission de données à fibres optiques, dans des systèmes informatiques et de commutation optiques ultrarapides, pour la mise au point d'appareils médicaux, de matériel de traitement laser, de lasers à rayonnement double fréquence, ainsi que pour l'excitation de lasers et d'amplificateurs à solides et à fibres optiques. L'invention concerne une hétérostructure, un laser à injection, un élément amplificateur semi-conducteur et un amplificateur optique semi-conducteur, qui se caractérisent essentiellement par une modernisation de la région active et de la région d'afflux de l'hétérostructure, par une sélection complexe de l'agencement, des compositions, des indices de diffraction et des épaisseurs de ses couches, qui permettent un fonctionnement efficace des lasers à injection, des éléments amplificateurs semi-conducteurs et des amplificateurs optiques semi-conducteurs dans la région de transition, dans laquelle est formée l'émission contrôlée du rayonnement à partir la couche active.
General Nano Optics Limited
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1989048