Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Details Hierarchical common source line structure in nand flash memory Hierarchical common source line structure in nand flash memory

G - Physics

11

C

G11C 16/30 (2006.01)

Patent

CA 2701837

Each memory cell string in a generic NAND flash cell block connects to a Common Source Line (CLS). A value for applying to the CSL is centrally generated and distributed to a local switch logic unit corresponding to each NAND flash cell block. For source-line page programming, the distribution line may be called a Global Common Source Line (GCSL). In an array of NAND flash cell blocks, only one NAND flash cell block is selected at a time for programming. To reduce power consumption, only the selected NAND flash cell block receives a value on the CSL that is indicative of the value on the GCSL. Additionally, the CSLs of non-selected NAND flash cell blocks may be disabled through an active connection to ground.

Chaque chaîne de cellules mémoires dans un bloc de cellule flash NON-ET (NAND) générique se connecte à une Ligne de Source Commune (CLS). Une valeur à appliquer à la CLS est générée de façon centrale et distribuée à une unité de logique de commutateur local correspondant à chaque bloc de cellule flash NON-ET. Pour une programmation de page de ligne de source, la ligne de distribution peut être appelée Ligne de Source Commune Globale (GCSL). Dans un réseau de blocs de cellule flash NON-ET, un seul bloc de cellule flash NON-ET est sélectionné à la fois pour la programmation. Pour réduire la consommation d'énergie, seul le bloc de cellule flash NON-ET sélectionné reçoit une valeur sur la CSL qui est indicative de la valeur sur la GCSL. De plus, les CSL de blocs de cellule flash NON-ET non sélectionnés peuvent être désactivées par une connexion active à la masse.

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