H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/187 (2006.01) H01S 5/42 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01)
Patent
CA 2473396
A semiconductor laser is formed on a semiconductor substrate (34) with an array of laterally spaced laser device elements each including a second order distributed feedback grating (22) bounded by distributed Bragg reflector gratings (24) and a central phase shift in the distributed feedback grating (22). The device elements in which the distributed feedback grating (22) and the distributed Bragg reflector gratings (24) are formed have a lower effective index than the index of the interelement regions (51) and are spaced so as to form an antiguided array. A two~-dimensional semiconductor array laser may be formed of four or more of the semiconductor array devices arranged on the substrate (34) to provide long range coherent coupling via traveling waves of light between the device elements.
L'invention concerne un laser à semi-conducteur formé sur un substrat semi-conducteur avec un réseau d'éléments de dispositif de laser espacés latéralement, comprenant respectivement un réseau à rétroaction répartie (DFB) de second ordre délimité par des réseaux à réflecteurs de Bragg répartis (DBR), le réseau à rétroaction répartie présentant un déphasage central. Lesdits éléments du dispositif dans lesquels sont formés le réseau à rétroaction répartie et les réseaux à réflecteurs de Bragg répartis présentent un indice effectif inférieur à l'indice des zones interéléments et sont espacés de façon à constituer un réseau d'anti-guides. Un laser à réseau semi-conducteur bidimensionnel peut être formé à partir d'au moins quatre dispositifs de réseau semi-conducteur disposés sur le substrat pour permettre un couplage cohérent de longue portée par l'intermédiaire d'ondes lumineuses progressives entre les éléments du dispositif.
Borden Ladner Gervais Llp
Wisconsin Alumni Research Foundation
LandOfFree
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