H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/3205 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
Patent
CA 2245846
A charge storage device (50, 91), such as an integrated circuit memory (91), including a dielectric (56, 89) comprising a barium-strontium-niobium oxide. A liquid precursor including the metals barium, strontium, and niobium is prepared and applied to a platinum electrode (55, 88). The precursor is baked and annealed to form a dielectric (56, 89) having the formula BaxSryNbzO30, where x = 1.3 to 3.5, y = 1.5 to 3.7, and z = 10. A top platinum electrode (63, 90) is then formed to provide a memory cell capacitor (50, 84). Optimum results to date have been obtained with Ba2Sr3Nb10O30, which yields a memory cell dielectric with dielectric constant over 1000 and a leakage current of less than 10-5 amperes per square centimeter for voltages up to 5 volts.
Un dispositif (50, 91) de stockage de charge, tel qu'une mémoire (91) à circuit intégré, comprend un diélectrique (56, 89) présentant un oxyde de barium-strontium-niobium. Un précurseur liquide comprenant les métaux barium, strontium et niobium est préparé et appliqué à une électrode de platine (55, 88). Le précurseur est soumis à une cuisson et à un recuit afin de former un diélectrique (56, 89) ayant la formule Ba¿x?Sr¿y?Nb¿z?O¿30?, dans laquelle x = 1,3 à 3,5, y = 1,5 à 3,7 et z = 10. Une électrode de platine supérieure (63, 90) est ensuite formée afin de produire un condensateur (50, 84) pour cellule de mémoire. A ce jour, les résultats optimums ont été obtenus avec Ba¿2?Sr¿3?Nb¿10?O¿30?, produisant un diélectrique de cellule de mémoire à constante diélectrique supérieure à 1000 et un courant de fuite inférieur à 10?-5¿ ampères par centimètre carré pour des tensions allant jusqu'à 5 volts.
Cuchiaro Joseph D.
Dacruz Claudia P.
Joshi Vikram
Mcnelis John M.
Paz de Araujo Carlos A.
Smart & Biggar
Symetrix Corporation
LandOfFree
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