H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/217 (2006.01)
Patent
CA 2592736
A switch mode power amplifier includes a transistor responsive to input signals above 1.0 GHz and which includes one terminal coupled to ground and another terminal conductively coupled to a power source. A resonant circuit coupled the second terminal to an output with a resistive load coupled across the output and ground. When the transistor is turned on the second terminal is coupled to ground and when the transistor is turned off, current from the power supply to the second terminal is steered into internal capacitance of the transistor and causes voltage on the second terminal to rise to a maximum value and then decrease, the voltage at the second terminal being coupled to the output terminal through the resonant circuit. In preferred embodiments, the transistor comprises a compound semiconductor field effect transistor with the first terminal being a source terminal and the second terminal being a drain terminal. The field effect transistor is preferably a compound high electron mobility transistor (HEMT) or compound MESFET, but in other embodiments the transistor can be the compound LDMOS, compound bipolar transistor, or compound MOSFET.
L'invention concerne un amplificateur de puissance à mode de commutation comprenant un transistor réagissant à des signaux d'entrée supérieurs à 1.0GHz et qui comprend une borne couplée à la masse et une autre borne couplée conductrice à une source d'alimentation. Un circuit résonnant couple la deuxième borne à une sortie avec une charge résistive couplée entre la sortie et la masse. Lorsque le transistor est activé, la deuxième borne est couplée à la masse et lorsque le transistor est désactivé, le courant envoyé à la deuxième borne par la source d'alimentation est guidé dans la capacité interne du transistor et entraîne l'augmentation de la tension sur la deuxième borne à une valeur maximale puis sa diminution, la tension à la deuxième borne étant couplée à la borne de sortie par le circuit résonnant. Dans des modes de réalisation préférés, le transistor comprend un transistor à effet de champ à semi-conducteurs à base de composés, la première borne étant une borne source et la deuxième borne étant une borne drain. Le transistor a effet de champ est de préférence un transistor à haute mobilité d'électrons à base de composés (HEMT) ou un MESFET à base de composés ; dans d'autres modes de réalisation, le transistor peut être le LDMOS à base de composés, le transistor bipolaire à base de composés ou le transistor à effet de champ MOS à base de composés.
Milligan James W.
Pengelly Raymond S.
Pribble William L.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1586924