H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01)
Patent
CA 2456662
The present invention is directed to high frequency, high power or low noise devices such as low noise amplifiers, amplifiers operating at frequencies in the range of 1 GHz up to 400 GHz, radars, portable phones, satellite broadcasting or communication systems, or other devices and systems that use high electron mobility transistors, also called hetero-structure field-effect transistors. A high electron mobility transistor (60 and 80) includes a substrate (61), a quantum well structure (62) and electrodes (72 and 74). The high electron mobility transistor has a polarization-induced charge of high density. Preferably, the quantum well structure (62) includes an AIN buffer layer (64), an un-doped GaN layer (66), and an un-doped InAIN layer (68).
Cette invention concerne des dispositifs haute fréquence, haute puissance ou à faible bruit, tels que des amplificateurs à faible bruit, des amplificateurs fonctionnant à des fréquences comprises entre 1 GHz et 400 GHz, des radars, des téléphones portables, des systèmes de communication ou de radiodiffusion par satellite ou autres dispositifs et systèmes qui utilisent des transistors à haute mobilité d'électrons, aussi nommés transistors à effet de champ à hétérostructure. Un transistor (60, 80) à haute mobilité d'électrons comprend un substrat (61), une structure (62) à puits quantique ainsi que des électrodes (72, 74). Ce transistor à haute mobilité d'électrons présente une charge de haute densité induite par la polarisation. Cette structure (62) à puits quantique comprend de préférence une couche d'amortissement AIN (64), une couche GaN (66) non dopée et une couche InAIN (68) non dopée.
Kuzmik Jan
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1605661