High frequency modulated semiconductor laser source

Details High frequency modulated semiconductor laser source High frequency modulated semiconductor laser source

H - Electricity

01

S

345/32, 345/47

H01S 3/098 (2006.01) H01S 5/065 (2006.01) H01S 5/062 (2006.01) H01S 5/125 (2006.01)

Patent

CA 1311820

PRECIS DE LA DIVULGATION: Un laser semi-conducteur constitue une source monolithique dont l'intensité est modulée à une fréquence située dans le domaine des hyperfréquences, typiquement de 10-20 à 100 GHz. Il est basé sur le couplage des modes longitudinaux du laser, la modulation d'intensité étant donnée par le battement des différents modes du laser. L'optimisation et la commande du laser sont permises par une division de la cavité optique du laser en sections successives. L'invention s'applique notamment aux télécommunications.

610656

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