H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0304 (2006.01) G08B 17/12 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01) H01L 31/102 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
Patent
CA 2210462
A photoconductor (10) has an active layer (20) of gallium nitride having approximately 1016 to 5 x 1016 net donor sites per cubic centimeter and is sensitive to UV radiation. This photoconductor has at least one of a sheet resistance in the approximate range of 10 4 to × 10 6 ohms/unit area and a relatively low level of photoluminescence in the range from about 430-450 nm when excited with light of energy higher than the bandgap energy of 3.4 eV. These criteria tend to define similar semiconductor materials which can form the active layer of an ultraviolet (UV) photodetector having the improved characteristics of a relatively low dark resistance, high sensitivity over at least a range of UV radiation intensity, and decreasing gain with increasing UV radiation.
Photoconducteur (10) présentant une couche active (20) de nitrure de gallium possédant approximativement de 10<16> à 5 x 10<16> sites donneurs nets par centimètre cube et sensible au rayonnement U.V. Ledit photoconducteur présente au moins une résistance de couche dans la gamme proche de 10<4> à 5 x 10<6> ohms/unité de surface et un niveau relativement faible de photoluminescence dans la gamme comprise entre environ 430 et 450 nm lorsqu'il est excité par de la lumière ayant une énergie supérieure à l'énergie de la bande interdite, de 3,4 eV. Ces critères tendent à définir des matériaux semiconducteurs similaires capables de former la couche active d'un photodétecteur d'ultraviolet (U.V.) présentant des caractéristiques améliorées telles qu'une résistance d'obscurité relativement faible, une sensibilité élevée sur au moins une plage d'intensité de rayonnement U.V. et un gain décroissant à mesure que le rayonnement U.V. augmente.
Barany Barbara G.
Reimer Scott T.
Ulmer Robert P.
Zook J. David
Honeywell Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
High gain ultraviolet photoconductor based on wide bandgap... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with High gain ultraviolet photoconductor based on wide bandgap..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and High gain ultraviolet photoconductor based on wide bandgap... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2058134