High impedance system for generating electric fields and...

G - Physics – 01 – N

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G01N 27/02 (2006.01)

Patent

CA 2628407

Disclosed is a system and method for generating time variant and invariant electric fields (E-fields) for various applications. Generating the E-field utilizes high impedance dielectric materials having a collection of three imperative material properties: high permittivity (.epsilon.), high volume resistivity (.rho.) and high maximum allowable E-field stress (.phi.) and physical geometries that take advantage of the manner in which E-fields are divided or distributed in series capacitance networks. The generated E-field can act upon a subject material, including a gas, liquid or solid, wherein the material is stationary or in motion. The method allows an E-field of given intensity to be set up in the subject material with a significantly lower applied voltage .PHI.a, or conversely, a significantly higher E-field intensity with a given applied voltage .PHI.a. The method forestalls electric conduction current through the subject material, thus significantly reducing electric conduction current, energy consumption, ohmic heating, and preempting electrochemical reactions at the electrode/fluid interfaces. Acoustic energy may also be applied.

La présente invention concerne un système et un procédé pour générer des champs électriques variant ou non avec le temps (E-fields) pour diverses applications. La génération de l'E-field utilise des matériaux diélectriques à impédance élevée ayant trois propriétés matérielles impératives : une permissivité élevée (.epsilon.), une forte résistivité au volume (.rho.) et une tension d'E-field maximum élevée (.phi.) ainsi que des géométries physiques qui profitent de la manière dont les E-fields sont séparés ou distribués dans des réseaux de capacitance en série. L'E-field généré peut agir sur un matériau sujet, comprenant un gaz, un liquide ou un solide, où le matériau est stationnaire ou en mouvement. Le procédé permet à un E-field d'une intensité donnée d'être configuré dans le matériau sujet avec une tension appliquée considérablement inférieure (.PHI.a) ou, à l'inverse, une intensité d'E-field considérablement supérieure avec une tension appliquée donnée (.PHI.a). Le procédé empêche le courant de conduction électrique de passer par le matériau sujet, ce qui réduit considérablement le courant de conduction électrique, la consommation d'énergie, le chauffage ohmique et la préemption des réactions électrochimiques sur les interfaces électrode/fluide. Une énergie acoustique peut aussi être appliquée.

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