G - Physics – 01 – R
Patent
G - Physics
01
R
G01R 33/07 (2006.01) G01R 21/08 (2006.01)
Patent
CA 2345647
A Hall effect sensor (10) or device may be used in a variety of embodiments, such as measuring current within an associated conductor by helping to measure flux density within a gap of a ferromagnetic power meter core, such as in a power meter. A high linearity interface for a Hall effect device is provided for minimizing offset effects without using complicated electronic circuits. First (48) and second (50) levels of modulation relative to line frequency (42) are used to synchronize Hall effect device input switching circuits and feedback loops for improved elimination of offset signals or noise from the ultimate system output. The substrate (12) of the Hall effect device may be connected electrically to an output pin of the Hall device or to a separate virtual ground to eliminate any effects caused by asymmetry of the voltage appearing in the channel relative to the substrate. The net effect of the high linearity interface is to eliminate any adverse effects to linearity of the system, especially at low magnetic flux levels where the output voltage of the Hall device would be relatively small compared to the offset voltage levels involved. The interface virtually eliminates adverse effects from operational amplifier input offset voltages, Hall effect device output offset voltages, and any common mode voltages.
La présente invention concerne un capteur ou un dispositif à effet hall pouvant être utilisé dans une variété de modes de réalisation, comme pour mesurer le courant dans un conducteur associé en facilitant la mesure de la densité du flux dans l'espace d'un noyau ferromagnétique de wattmètre, par exemple. En outre, cette invention concerne une interface à haute linéarité destinée à un dispositif à effet Hall, permettant de réduire au minimum les effets de décalage sans utiliser de circuits électroniques compliqués. Les premier et second niveaux de modulation de la fréquence de ligne sont utilisés pour synchroniser les circuits de commutation d'entrée et les boucles de contre-réaction du dispositif à effet Hall, afin de favoriser l'élimination des bruits et des signaux de décalage de la dernière sortie du système. Par ailleurs, le substrat à effet Hall peut être connecté électriquement à une broche de sortie du dispositif à effet Hall ou à une masse virtuelle séparée, de manière à éliminer tout effet provoqué par l'asymétrie de tension dans la voie du substrat. L'effet final de l'interface à haute linéarité est d'éliminer tous les effets qui nuisent à la linéarité du système, particulièrement à des niveaux de flux magnétiques bas où la tension de sortie du dispositif à effet Hall est relativement basse, par rapport au niveaux de tension de décalage impliqués. De plus, cette interface élimine virtuellement les effets nocifs des tensions de décalage opérationnelles de l'amplificateur, des tensions de décalage de sortie du dispositif à effet Hall, et de n'importe quelles tensions de mode commun.
Gervais Michel
Goodwin Wendell
Heinz-Buethe Karl
Kobbi Farah
Lancaster Andrew
Itron Inc.
Schlumbergersema Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
High linearity, low offset interface for hall effect devices does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with High linearity, low offset interface for hall effect devices, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and High linearity, low offset interface for hall effect devices will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1613576