H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/40 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/32 (2006.01) H01S 5/50 (2006.01)
Patent
CA 2338106
A semiconductor structure for use as a laser or amplifier has a multilayer structure including a substrate, an active region, optical confinement and cladding layers on each side of the active region to surround the active region. The structure includes at least one core element at which light emission occurs and interelement regions laterally adjacent to the core element with the effective refractive index of the interelement regions higher than that of the core element to provide antiguiding of light emitted in the core element. The optical confinement and cladding layers on opposite sides of the active region have different indexes of refraction to provide an optical waveguiding structure in the transverse direction in the core element which is asymmetrical and which favors lasing only in the fundamental transverse mode. The structure allows larger core elements to be utilized than otherwise possible and results in a significantly increased light emission spot size enabling much higher emission power levels for lasers and higher saturation power levels for amplifiers.
Structure à base de semi-conducteur conçue pour être utilisée en tant que laser ou amplificateur et possédant une structure multicouche comprenant un substrat, une zone active, ainsi que des couches de confinement optique et de blindage de chaque côté de la zone active afin d'entourer cette dernière. Cette structure comporte au moins un élément central ou noyau, au niveau duquel l'émission de lumière s'effectue, et des zones entre éléments contiguës latéralement à ce noyau, l'indice de réfraction de ces zones entre éléments étant supérieur à celui du noyau, ce qui permet d'antiguider la lumière émise dans ce noyau. Les couches de confinement optique et de blindage des côtés opposés de la zone active possèdent des indices de réfraction différents permettant d'obtenir une structure de guide d'onde optique dans le sens transversal du noyau, qui est asymétrique et ne favorise l'émission laser qu'en mode transversal fondamental. Cette structure permet d'utiliser des noyaux plus importants qu'il ne serait possible autrement et d'obtenir une dimension ponctuelle d'émission lumineuse considérablement accrue, de sorte qu'il est possible d'atteindre des niveaux de puissance d'émission beaucoup plus élevés pour les lasers et des niveaux supérieurs de puissance de saturation pour les amplificateurs.
Botez Dan
Mawst Luke J.
Petrescu-Prahova Iulian Basarab
Borden Ladner Gervais Llp
Wisconsin Alumni Research Foundation
LandOfFree
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