C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/36 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 29/02 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01)
Patent
CA 2443512
A high-resistivity silicon carbide single crystal is disclosed that includes at least one compensated dopant having an electronic energy level far enough from an edge of the silicon carbide bandgap to avoid conductive behavior, while far enough from mid-gap towards the band edge to create a greater band offset than do mid-level states when the substrate is in contact with a doped silicon carbide epitaxial layer and when the net amount of the dopant present in the crystal is sufficient to pin the Fermi level at the dopant's electronic energy level. The silicon carbide crystal has a restivity of at least 5000 ohms-centimeters at room temperature.
Cette invention concerne un cristal unique de carbure de silicium à résistivité élevée comprenant au moins un dopant compensé présentant un niveau d'énergie électrostatique suffisamment éloigné d'une limite de la structure de bande du carbure de silicium pour éviter un comportement conducteur, mais aussi suffisamment éloigné de la structure moyenne en direction de la limite de bande pour créer un décalage de bande plus important que celui induit par des états de niveau moyen lorsque le substrat est en contact avec la couche épitaxiale de carbure de silicium dopé et lorsque la quantité nette de dopant présent dans le cristal est suffisante pour bloquer le niveau de Fermi au niveau d'énergie électrostatique du dopant. Le cristal de carbure de silicium présente une résistivité égale à au moins 5000 ohms-centimètres à température ambiante.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1395158