High-resolution, nondestructive imaging of dielectric materials

Details High-resolution, nondestructive imaging of dielectric materials High-resolution, nondestructive imaging of dielectric materials

G - Physics

01

R

G01R 27/00 (2006.01)

Patent

CA 2615685

The enhanced detection of defects in the bulk dielectric material (Specimen) having radiation partly reflected at interfaces where the dielectric constant changes (e.g., where there are defects or structures). A sinusoidal or quasi~sinusoidal wave (Microwave Source) results. Localization or imaging of features is enhanced by exploiting the variation in distance resolution (Standoff+/-) in a sinusoidal or quasi-sinusoidal standing wave. At characteristic distances, the wave has a high slope and the amplitude of the wave varies strongly with small changes in distance (Standoff +/-). By inspecting at these characteristic distances (Standoff +/-), the resolution is enhanced. By systematically varying the position of the transducer or specimen, detailed images may be formed of the internal structure of the specimen across a range of depths. Defects and structures may be detected at smaller sizes than has previously been possible.

L'invention porte sur un système de détection amélioré de défauts dans des matériaux diélectriques massifs reflétant partiellement des radiations aux interfaces là où la constante diélectrique change (par exemple là où se trouvent des défauts ou des structures). Il en résulte une onde sinusoïdale ou quasi-sinusoïdale (source de micro-ondes). La localisation ou la représentation de ces traits est améliorée par l'exploitation des variation de la résolution en distance (éloignement +/-) de l'onde stationnaire sinusoïdale ou quasi-sinusoïdale. A des distances caractéristiques, l'onde présente une forte pente et son amplitude varie fortement pour de faibles variations de la distance (éloignement +/-). L'examen de ces caractéristiques de distance (éloignement +/-) permet d'améliorer la résolution. En faisant systématiquement varier la position du transducteur ou de l'échantillon, on obtient une image détaillée de la structure intérieure de l'échantillon sur une plage de profondeurs. On peut ainsi détecter des défauts et des structures de plus petite taille qu'antérieurement.

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