H - Electricity – 03 – K
Patent
H - Electricity
03
K
H03K 17/14 (2006.01) H03K 17/687 (2006.01)
Patent
CA 2759195
Gate drivers for wide bandgap (e.g., >2eV) semiconductor junction field effect transistors (JFETs) capable of operating in high ambient temperature environments are described. The wide bandgap (WBG) semiconductor devices include silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) devices. The driver can be a non-inverting gate driver which has an input, an output, a first reference line for receiving a first supply voltage, a second reference line for receiving a second supply voltage, a ground terminal, and six Junction Field-Effect Transistors (JFETs) wherein the first JFET and the second JFET form a first inverting buffer, the third JFET and the fourth JFET form a second inverting buffer, and the fifth JFET and the sixth JFET form a totem pole which can be used to drive a high temperature power SiC JFET. An inverting gate driver is also described.
L'invention concerne des commandes de grille pour des transistors à effet de champ à jonction à semi-conducteurs (JFET) à bande interdite large (par exemple, > 2eV) susceptibles de fonctionner dans des environnements à température ambiante élevée. Les dispositifs à semi-conducteurs à bande interdite large (WBG) comprennent des dispositifs au carbure de silicium (SiC) et au nitrure de gallium (GaN). La commande peut être une commande de grille non inverseuse qui a une entrée, une sortie, une première ligne de référence pour recevoir une première tension d'alimentation, une seconde ligne de référence pour recevoir une seconde tension d'alimentation, une borne de mise à la terre et six transistors à effet de champ à jonction (JFET), le premier JFET et le deuxième JFET formant une première mémoire tampon inverseuse, le troisième JFET et le quatrième JFET formant une deuxième mémoire tampon inverseuse et le cinquième JFET et le sixième JFET formant un mât totémique qui peut être utilisé pour commander un JFET SiC de puissance à température élevée. L'invention concerne également une commande de grille inverseuse.
Macrae & Co.
Ss Sc Ip Llc
LandOfFree
High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1979794