High temperature, high voltage sic void-less electronic package

Details High temperature, high voltage sic void-less electronic package High temperature, high voltage sic void-less electronic package

H - Electricity

01

L

H01L 23/433 (2006.01) H01L 23/373 (2006.01) H01L 25/07 (2006.01)

Patent

CA 2666081

An electronic package designed to package silicon carbide discrete components for silicon carbide chips. The electronic package allows thousands of power cycles and/or temperature cycles between -550°C to 3000°C. The present invention can also tolerate continuous operation at 3000°C, due to high thermal conductivity which pulls heat away from the chip. The electronic package can be designed to house a plurality of interconnecting chips within the package. The internal dielectric is able to withstand high voltages, such as 1200 volts, and possibly up to 20,000 volts. Additionally, the package is designed to have a low switching inductance by eliminating wire bonds. By eliminating the wire bonds, the electronic package is able to withstand an injection mold.

Boîtier électronique conçu pour abriter des composants discrets en carbure de silicium pour des puces en carbure de silicium. Le boîtier électronique peut être soumis à des milliers de cycles marche/arrêt et/ou de cycles thermiques entre -550°C et 3000°C. Le boîtier électronique est également capable de tolérer un fonctionnement continu à 3000°C, du fait de sa forte conductivité thermique qui évacue la chaleur de la puce. Le boîtier électronique peut être conçu pour abriter une pluralité de puces reliées entre elles. Le diélectrique interne est capable de résister à de hautes tensions, telles que 1200 volts et atteignant éventuellement 20 000 volts. Le boîtier électronique est en outre conçu pour offrir une faible inductance de commutation du fait de l'absence de connexions filaires. Cette absence de connexions filaires fait que le boîtier électronique peut supporter un moulage par injection.

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